產(chǎn)品詳細參數(shù)如下:
產(chǎn)品類別 | 合金靶材 |
產(chǎn)品簡稱 | CoNbZr |
產(chǎn)品全稱 | Cobalt niobium zirconium |
產(chǎn)品純度 | 99.9%,99.95%,99.99% |
產(chǎn)品形狀 | 平面靶,柱狀靶,電弧靶,異型靶 |
生產(chǎn)工藝 | Vacuum Melting |
最大尺寸 | L≤200mm,W≤200mm |
鈷鈮鋯合金靶材產(chǎn)品詳情:
鈷鈮鋯靶材是用于真空鍍膜行業(yè)濺射靶材中的一種,是由高純鈷、鈮、鋯經(jīng)過高真空熔煉得到鑄坯,再經(jīng)加工得到的產(chǎn)品,具有特定的尺寸和形狀的高純鈷鈮鋯材料,安裝在真空鍍膜機上,濺射成膜。
CoNbZr合金靶材濺射得到的納米晶磁性薄膜,與多晶態(tài)薄膜,主要是鈷Co,鈷鐵CoFe和坡莫合金NiFe三種磁性薄膜,其中的非磁性隔離層是銅Cu等貴金屬材料形成的三明治膜層,具有極薄的總體厚度(10nm左右),較大的磁阻效應(yīng)(10%以上),穩(wěn)定的單疇?wèi)B(tài),優(yōu)越的翻轉(zhuǎn)特性,翻轉(zhuǎn)場均勻性偏差<8%,是生產(chǎn)RAM、MRAM等存儲器件的重要的膜層材料。

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